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二次离子质谱SIMS
周 期:3-5个工作日
价 格:2000起/unit
SIMS可以探测浓度非常低的掺杂和杂质,也可以提供从几nm到几十µm范围内的元素深度分布。一定能量的离子打到固体表面会引起表面原子分子或原子团的二次发射,即离子溅射。溅射的粒子一般以中性为主,其中有一部分带有正、负电荷,这就是二次离子。利用质量分析器接收分析二次离子就得到二次离子质谱。SIMS具有很高的灵敏度,可达到ppm甚至ppb量级。
服务描述

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二次离子质谱 SIMS Cameca IMS 7f



1. 技术指标:

纵向分辨率:2-10nm

离子源:Cs离子及O离子

束斑及能量:30um及以上

质量比分辨率:>4000

杂质检测限:ppm-ppb级别

2. 擅长样品:

Si、GaN、III-V、II-VI块体及半导体薄膜材料微量掺杂元素的深度剖析

3. 定量分析:

Si基(P、B、C、H、O等)

GaN基(Mg、Si、C、H、O等)

4.应用范围:

掺杂和杂质深度分析

薄膜的组成和杂质的测量(金属、介电质、Si、III-V和II-VI材料)

浅注入和超薄膜的超高分辨率深度分析

块材分析,包括Si中的B, C, O和 N元素

芯片分析,芯片结构及杂质元素定性定量分析,包括LED芯片、功率器件、氧化镓等半导体芯片

5.收费标准:

测试项目

收费标准

备注

外延片深度剖析

1)2000/unit,0~1um;

2)2500/unit,1~2um;

3)3000/unit,2~3um;

4)3500/unit,3~4um;

1)待测样品导电且平整光滑,背面平整,长宽尺寸8mm*6mm及以上;

2)其中GaN或Si中微量元素掺杂可以定量;

微量元素深度剖析

1)强度-深度曲线图;

2)1000/元素,0~1um;

3)1500/元素,1-2um;

1)样品尺寸8mm*6mm,样品表面导电且平整,背面平整;

2)如需样品前处理,加收800/样;

LED芯片样品制备

1)同侧结构,800/样品;

2)垂直结构,3000/样;

1)芯片尺寸不小于35mil*35mil,且对GaN有刻蚀的电极间距不小于150um;

2)芯片样品测试费用为外延费用上浮30%;

6.案例展示:

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